Tiêu đề: Chế tạo và nghiên cứu tính chất điện của Poly-Si thin film transistors hiệu suất cao

Thời gian: 10h ngày 26-9-2016 (Thứ 2)

Địa điểm : Phòng họp khoa Vật lí ĐHSP HN

Người trình bày: Nguyễn Thị Thúy

Tóm tắt: Thin film transistors (TFTs) hiệu suất cao được chế tạo trên đế thuỷ tinh là yếu tố quyết định đến hiệu suất và tốc độ điều khiển điểm ảnh của công nghệ màn hình phẳng, đang phát triển rất mạnh mẽ hiện nay, đồng thời được ứng dụng trong công nghệ điện tử mạch tích hợp ICs, System on Glass, và công nghệ điện tử 3D. Trong nghiên cứu này, bằng việc ứng dụng công nghệ laser, chúng tôi đã tạo ra được màng mỏng poly-Si với các hạt tinh thể Si định hướng bề mặt (100) lớn (20 x 2 mm2) và chế tạo những poly-Si TFTs có hiệu suất rất cao, giúp mở ra một trang mới cho sự phát triển của công nghệ Silicon. TFTs có độ linh động hiệu ứng trường của Electron lên đến 1010 cm2/Vs hứa hẹn ứng dụng để chế tạo những màn hình lớn với tốc độ phân giải cao và ứng dụng trong công nghệ chế tạo chip điện tử 3D có tốc độ cực nhanh, kích thước siêu mỏng và siêu nhỏ gọn.

Ultra-High Performance (100)-Oriented Poly-Si Thin Film Transistors

Thi Thuy Nguyen, Mitsuhisa Hiraiwa, and Shin-Ichiro Kuroki
Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University

Ultra-high performance, low-temperature poly-Si (LTPS) TFTs, which are comparable to single crystal Si devices, have been a key requirement to develop a new era of Si electronic technology for flat panel displays (FPD), integrated circuits (ICs), system on glass (SOG), and three dimensional (3-D) electronics. Recently, development in LTPS-TFT manufacturing technology has focused on improving the electrical properties of Si film, and reducing the cost in order to achieve commercialization. Electron field effect mobility enhancement of TFTs plays a decisive role in developing high performance LTPS-TFTs. For ultra-high mobility TFTs on a large scale, (100)-dominantly oriented poly-Si thin film with large crystal grains have generated high demand. In this work, we succeed in controlling the orientation of large Si crystals at (100) plane, and demonstrate ultra-high performance LTPS-TFTs with (100)-highly oriented poly-Si thin film.

Keywords: Poly-Si, TFTs, MOSFET.

Trân trọng kính mời các thầy cô và quý vị quan tâm tới dự.